ВОССТАНОВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
Восстановление свойств поверхности Si после реактивного ионного травления с помощью быстрого теплового отжига. Продемонстрированы возможности отжига в режиме теплового удара для восстановления заданных свойств Пв Si после реактивного травления в плазме СC1F3/Н2. Отжиг удаляет повреждения кристаллической структуры Si, вызванные ионной бомбардировкой, но в получаемых на данной Пв диодах Шоттки Si/Аu имеется заметное сопротивление. [РЖХ-1988, реф.21Л32].
SiO2 + 2 H2 =(plazma)=> Si + 2 H2O ;
445; c04rd (Ур.ТР=1-2 , B3354041, E2, МКИ C01B) “восстановление водородом; ВОССТАНОВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ”
