|
База данных применения химических эффектов |
На главную страницу | О проекте | Контакты |
Новости | База данных | Статьи |
Вы находитесь здесь: dace.ru / База данных химических эффектов База данных по химическим эффектам в химических патентах
Все патенты, начинающие с С
СТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ ВЕЩЕСТВ
СТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ ВЕЩЕСТВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СИНХРОТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И КОМПЬЮТЕРНЫХ МОДЕЛЕЙ СТРОЕНИЯ / Юрьев Г.С.а, Семухин Б.С.б / аИНХ им. А.В. Николаева СО РАН, 630090, Новосибирск, пр. Ак. М.А. Лаврентьева, 3 /бИФПиМ СО РАН, 634021, Томск, пр. Академический, 2/1 [18 Менд.съезд, т.1, с.76]
Регистрация дифракционных картин на θ-2θ дифрактометре высокого разрешения с монохроматизацией падающего и дифрагированного излучения в области 0.2-2 Å практически без влияния поляризации и поглощения излучения (Ускоритель ВЭПП-3, ИЯФ СО РАН, г. Новоси-бирск). Схема дифрактометра. Компьтерное моделирование наночастиц не сферических, сферических, сферических из остова и оболочки, гибридных (остов неогранический, оболочка органическая). На примере наноалмаза (сферический, икосаэдрический, циллиндрический, демонстрируется работа программ создания компьютерных моделей пространственного строения) Расчет теоретических дифракционных картин, согласно Дебаю (1915 г.)1 и сравнение их с экспериментальными: I(s) = ΣiN ΣjN f i(s) f j(s) sin(srij/srij) = Σ(i=j)Nf i2(s) + 2 Σ(i<>j)N fi(s) fj(s) sin(srij/srij) ; i(s) = ΣiN fi(s) fj (s) sin(srij/srij) где I(s) –дифракционная картина, состоящая из независимой дифракции атомов (на газе) и дифракции i(s) на атомах, конкретно расположенных в пространстве –интерференционная часть дифракционной картины; f(s) - томный фактор рассеяния, s = (4π⁄λ)sinθ, Å–1; λ, (Å) – длина волны дифрагируемого излучения; θ° – половина брегговского угла дифракции, rij – расстояния между атомами, определяемые на основе их координат; N – число атомов в модели строения. Изученны примеры наноструктур: сферические наноалмазы, включая пустотелые, из остова и оболочки, а также с равным числом атомов в остове и оболочке, наноалмаз/графит, наноалмаз/олигопептиды, нано-CdSe/полиэтилен и др. Использование дозы синхротронного излучения в методе нанотехнологии на примерах B(C)N и наноалмаз/ лонсдейлит. Работа выполнена при финансовой поддержке в том числе The method technique of research develops under the Projectof RAS, 2006, coordinator ac. Yu.A. Zolotov. | C01B, C07B, c30ve Литература 1. James R.W. The Optical Principles of the Diffraction of X_ray, Bell, London, 1950. |
dace.ru © 2005-2024 гг. Сделано dkos.ru |