База данных по химическим эффектам в химических патентах

Фотоэлектрохимическое травление полупроводниковых соединений: зависимость от длины волны; Измеряли число ямок травления на Пв кристаллов ZnSe и CdS после их фотоэлектрохимического травления в смеси HNO3 – HCl - H2O при различных длин волн света вблизи края собственного поглощения света в полупроводнике. Для более глубокого проникающего в полупроводник света число ямок травления меньше. Возникновение таких ямок объясняется существованием локальной неоднородности электрического поля вокруг ионизированных доноров вблизи границя раздела полупроводник-электролит. Чем глубже под Пв генерируются дырки, тем в большей степени "усредняется" их движение и потому снижается вероятность образования ямки травления. [РЖХим. 1Л66-1986] объед= анодное растворение + действие света