База данных применения химических эффектов
основана на ТРИЗ (теория решения изобретательских задач)

На главную страницу | О проекте | Контакты

Вы находитесь здесь: dace.ru / Новости химии / Туннельный эффект из глубин электронной оболочки

Туннельный эффект из глубин электронной оболочки Международная группа исследователей, которой руководит Пол Коркум (Paul B. Corkum) из Университета Оттавы заявляет, что туннельный переход электронов может осуществляться с более низкого энергетического уровня, чем предполагалось ранее. Туннельный переход электрона из HCl (H – серый, Cl – зеленый) происходить как с ВЗМО (верхняя занятая молекулярная орбиталь), так и с ВЗМО–1 (занятая орбиталь на уровень ниже). (Рисунок из Science 2009, 325, 1364) Квантово-механическое туннелирование происходит при преодолении микрочастицей потенциального барьера в случае, когда её полная энергия (остающаяся при туннелировании неизменной) меньше высоты барьера. Традиционным считалось мнение, что при туннельном переходе электрона из молекулы электрон может туннелировать только с верхней занятой молекулярной орбитали (ВЗМО). В группе Коркума показали, что может реализовываться и другой способ – было однозначно продемонстрирована возможность существенного вклада в процесс туннельного перехода и более низких по энергии орбиталей. Для экспериментов Коркум с коллегами использовал хлороводород. Причиной такого выбора послужила существенная разница между формой и энергетическими параметрами ВЗМО и расположенной ниже на энергетический уровень занятой орбитали, ВЗМО–1, этой молекулы. ВЗМО молекулы HCl представляет собой неподеленную 3p-орбиталь хлора, не участвующую в образовании связи; ВЗМО–1 – связывающая орбиталь, которая образуется при перекрывании 1s орбитали водорода и 3p орбитали хлора, соответственно при туннелировании электрона с ВЗМО–1 химическая связь между хлором и водородом должна ослабнуть, а молекула распасться на фрагменты. Исследователи инициировали туннельный переход электрона с молекулы HCl интенсивными короткими лазерными импульсами и наблюдали разрушение HCl. Было обнаружено, что полная вероятность туннельного перехода электрона с ВЗМО–1 составляет не более 0.2%, но при попытке «выбить» электрон, действуя лазерными импульсами вдоль оси связи между атомами хлора и водорода составляет по крайней мере 10%. Исследователи предполагают, что в более сложных молекулах, в которых энергетическая разница между ВЗМО и лежащих ниже орбиталей не столь велика, туннельный переход с этих орбиталей более вероятен. Источник: Science 2009, 325, 1364 Источник: http://www.chemport.ru 15.09.2009 22:34

май 2026 г. Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс         1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 май 2026 г. Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс         1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31