 |
Вы находитесь здесь: dace.ru / Новости химии / Метод структурирования кремния без высоких температур
Архивы новостей:
2008 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2009 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2010 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2011 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2012 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2013 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2014 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2015 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2016 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2017 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2018 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
Метод структурирования кремния без высоких температур
Алюминий сможет оказаться весьма полезным для низкотемпературного структурирования неупорядоченного кремния в упорядоченный, что может привести к удешевлению производства полупроводников.
Упорядоченные кристаллы кремния работают более эффективно в солнечных панелях. Однако до настоящего времени существовал лишь один способ производства этих материалов – производство при высоких температурах.
Исследователи из Института Изучения металлов Макса Планка в Штутгарте нашли способ понижения температуры кристаллизации кремния с 700º до 150ºC. Для этого они использовали слой алюминия, толщина которого влияет на температуру кристаллизации кремния. Новые разработки немецких ученых могут помочь в производстве солнечных батарей и других электронных компонентов, нанесенных на дешевые и гибкие материалы, как, например, пластик или даже бумага.
Давно известно, что температура кристаллизации полупроводников зависит от их контакта с различными металлами. По словам Ларса Йоргенса (Lars Jeurgens), руководившего исследованием, этот эффект был впервые использован для «настройки» температуры кристаллизации кремния с помощью слоя алюминиевых кристаллов. Он отмечает, что для слоев, толщина которых составляет более 20 нм, удается понизить температуру кристаллизации ниже 200ºС. Уменьшение толщины слоя приводит к существенному увеличению температуры.
Характер влияния толщины слоя алюминия на температуру перехода кремния из аморфного в кристаллическое состояние зависит от изменений энергетических вкладов в системе, состоящей из кремниевых блоков и слоев алюминия. Главную роль здесь играет энергия взаимодействия между фазами кремния и алюминия. Для понижения суммарной энергии системы первоначально атомы кремния размещаются неупорядоченно в пустотах между зернами алюминия, поскольку в неупорядоченном состоянии им проще «приспособиться» к кристаллической решетке алюминия. Однако, при достижении критической толщины слоя аморфного материала атомы кремния стремятся занять более упорядоченное положение для уменьшения объема, и кристаллизация начинается.
Источник: http://www.chemport.ru
03.05.2008 10:31 | |
|
