База данных применения химических эффектов
основана на ТРИЗ (теория решения изобретательских задач)

На главную страницу | О проекте | Контакты

Вы находитесь здесь: dace.ru / Новости химии / Алкагест для полупроводников

Архивы новостей:
2008 год: январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2009 год: январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2010 год: январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2011 год: январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2012 год: январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2013 год: январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2014 год: январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2015 год: январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2016 год: январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2017 год: январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2018 год: январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2019 год: январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь

Алкагест для полупроводников

Благодаря возможности настраивать электронные свойства за счет относительно простого регулирования состава, полупроводники в настоящее время применяются в качестве контрольных элементов многих высокотехнологических устройств. Как правило, для производства этих устройств требуются дорогие и энергозатратные методы вакуумного нанесения.

Значительным улучшением технологии полупроводниковых устройств, позволяющим отказаться от вакуумной техники нанесения полупроводников, могли бы быть, например методы, в которых бы использовалось распыление раствора нужного полупроводника. Тем не менее, практически все известные растворители не могут использоваться для получения раствора полупроводника с концентрацией, достаточной для его распыления. Наиболее хорошо растворяющий вещества, обладающие полупроводниковыми свойствами, гидразин, отличается высокой токсичностью, да и взрывоопасен.

Новая работа позволяет надеяться на решение этой проблемы – исследователи из группы Дэвида Веббера (David H. Webber) из Университета Южной Калифорнии сообщают, что они создали алкагест, универсальный растворитель для полупроводников, позволяющий получать достаточно концентрированные растворы целого класса халькогенидных полупроводниковых растворителей с помощью относительно неопасной смеси двух коммерчески доступных растворителей.

Было обнаружено, что при комнатной температуре и нормальном атмосферном давлении смесь 1,2-этилендиамина и 1,2-этандиола может быстро растворять образцы девяти халькогенидов металлов – бинарных полупроводников с общей формулой M2E3, где М – мышьяк, сурьма или висмут, а Е – сера, селен или теллур.

Исследователи из группы Веббера обнаружили, что смешанный растворитель может использоваться для получения концентрированных (21–32% по массе) растворов таких халькогенидов пниктогенов, как As2S3, As2Se3, As2Te3, Sb2S3, Sb2Se3 и Sb2Te3. Эта же смесь растворителей позволяет получить растворы халькогенидов висмута с концентрациями 1–10%.

В ходе пилотных испытаний по эффективности нового растворителя в обработке полупроводников исследователи смогли получить тонкие пленки селенида сурьмы и сульфида висмута с помощью нанесения раствора полупроводника на подложку с последующим испарением растворителя. Рентгеноструктурный анализ полученных пленок подтверждает то, что они состоят из чистых и однородных кристаллов соответствующих халькогенидов.

Как отмечает Сьюзен Козларич (Susan M. Kauzlarich), эксперт по химии полупроводников, новые результаты замечательны в первую очередь тем, что для растворения полупроводников не требуется гидразин. Она надеется, что полученные результаты могут оказаться полезными и для других полупроводников.

Источник: J. Am. Chem. Soc. 2013, DOI: 10.1021/ja4084336

Источник: http://www.chemport.ru
01.11.2013 23:29




dace.ru © 2005-2019 гг.
Сделано dkos.ru