|
Вы находитесь здесь: dace.ru / Новости химии / Пленка молекулярной толщины без дефектов
Архивы новостей:
2008 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2009 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2010 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2011 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2012 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2013 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2014 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2015 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2016 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2017 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2018 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2019 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2020 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2021 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2022 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2023 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2024 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
Пленка молекулярной толщины без дефектов
Интенсивно разрабатываемая область материалов атомной толщины, известных как однослойные полупроводники, может подтолкнуть революцию в материаловедении. Двумерные материалы могут оказаться полезными для создания прозрачных светодиодных дисплеев, ультраэффективных устройств для конверсии энергии Солнца в электроэнергию, фотодетекторов и наноразмерных транзисторов.
Тем не менее, прогресс в развитии двумерной электроники сдерживается тем обстоятельством, что такие пленки содержат большое количество дефектов, понижающих их производительность.
В новой работе исследователи из Университета Калифорнии и Национальной Лаборатории Беркли сообщают о том, что ими найден новый простой способ исправления таких дефектов, основанный на применении органической суперкислоты. Химическая обработка приводит к стократному увеличению фотолюминесцентного квантового выхода двумерного дисульфида молибдена.
Интерес к однослойным проводникам обусловлен тем, что они плохо поглощают электромагнитное излучение, а также их способностью сопротивляться механической деформации – это необходимо для создания прозрачных или гибких электронных устройств.
Исследователи увеличили квантовый выход дисульфида молибдена (MoS2) от значения меньшего, чем 1%, до 97% за счёт погружения материала в сверхкислоту – бистрифлимид (TFSI). Результаты данного исследования могут обеспечить новые варианты применения однослойных материалов, как, например, MoS2, в оптоэлектронных устройствах и высокопроизводительных транзисторах.
Толщина монослоя MoS2 составляет около 0,7 нм. Как отмечает руководитель исследовательского проекта Али Джави (Ali Javey), чем тоньше материал, тем в большей степени он проявляет чувствительность к дефектам. Исследование Джави представляет собой первый пример идеального с точки зрения оптоэлектроники монослоя, примеров которому до настоящего времени просто не было описано.
Сверхкислоты были не случайно выбраны для обработки монослоев – эти вещества являются идеальными протонодонорами, а протонирование может как восполнить недостающие атомы в месте дефекта, так и удалить нежелательные примеси с поверхности двумерного материала. Такой тип обработки имеет большое значение и для светоизлучающих диодов, и для транзисторов – электронные компоненты из бездефектных слоев дисульфида молибдена могут быть уменьшены в размерах без потери их производительности.
Источник: Science, 2015; 350 (6264): 1065 DOI: 10.1126/science.aad2114
Источник: http://www.chemport.ru 15.12.2015 03:22 | |
|